مقصود اختراع: براي پژوهش در زمينه ضايعات مغزي-نخاعي و عصب سياتيك، محققان نيازمند دستگاه ايجاد كننده ضايعات در آزمايشگاه هستند و با توجه به كارهاي پژوهشي زيادي كه در مورد ضايعات سيستم اعصاب انجام مي شود تصميم به طراحي و ساخت اين دستگاه گرفته شد. برجستگيهاي تكنيكي اختراع: اين دستگاه در محورهايx-y و z جابجا مي شود. براي تثبيت مغز و نخاع و عصب سياتيك، فيكساتيو مخصوص طراحي شده است. براي حركت ميله آسيب رسان از موتور پله اي با چرخش حدود 8/1 درجه استفاده شده است تا به جابجايي حدود 10 تا 30 ميكرون در سطح نخاع برسيم. در نرم افزار ساخته شده پارامترهاي سرعت، جابجايي و نيرو براي آسيب قابل تنظيم مي باشد. زمينه فني اظهارنامه اختراع: اين دستگاه داراي يك سيستم فيدبك بوده و حركت موتور استپر(حركت با دقت 50 ميكرومتر) باعث جابجايي ميله آسيب رسان در سطح بافت عصب مي شود و مقدار نيروي مورد نظر توسط سنسور سنجيده شده و پس از رسيدن به نيروي از پيش تعيين شده در نرم افزار، ميله آسيب رسان بلافاصله به موقيعت اوليه خود باز مي گردد تا از وارد شدن نيروي بيشتر جلوگيري شود.

مقصود اختراع: محققان براي پژوهش در مغز در به دستگاه استريوتاكسي نياز دارند. دستگاه استريوتاكسي اتوماتيك طراحي شده مي تواند بدون مداخله دست انسان، هسته مشخص شده را تعيين سپس مداخلات مورد نظر در آن نواحي را با دقت بسيار بالا انجام دهد. برجستگيهاي تكنيكي اختراع: اين دستگاه در محورهايx-y و z به شكل اتوماتيك جابجا مي شود. براي پيدا كردن هسته هاي مغزي، پردازش تصوير از سطح جمجمه صورت گرفته و پس از آن يك دريل به شكل اتوماتيك ناحيه خاصي از جمجمه را سوراخ مي كند. در نرم افزار طراحي شده محقق مي تواند نواحي مغز را پيدا كرده و دستورات لازم جهت مداخلات مورد نظر را صادر كند. زمينه فني اظهارنامه اختراع: در اين دستگاه محاسبه نواحي مختلف مغز به روش اتوماتيك با دقت حدود 50 ميكرون انجام مي شود. با فرآيند پردازش تصوير و پيدا كردن نقاط رفرنس، سوراخ كردن جمجمه توسط دريل به شكل اتوماتيك بدون تخريب در مغز صورت مي گيرد. به دليل اتوماتيك بودن تمام مراحل جراحي مغز، محقق مي تواند در نرم افزار تمام بخش هاي مربوط به دستگاه را كنترل نمايد.

در اين اختراع، يك تراشه ريزسيال كه قابليت فراهم نمودن امكان بلوغ تخمك نابالغ در داخل آن را دارا مي‌باشد و علاوه بر آن، باعث افزايش صلاحيت رشد و تكوين تخمك نسبت به ساير روش‌هاي متداول بلوغ آزمايشگاهي (مانند روش استاتيك درون قطره) مي‌شود، طراحي و ساخته شده است. قابليت برجسته اين اختراع استفاده از سيستم كشت ديناميك به جاي سيستم كشت استاتيك در داخل ريزتراشه و شبيه‌سازي شرايط طبيعي داخل بدن مادر بر روي ريزتراشه مي‌باشد. اين امر با استفاده از نيروي هيدروديناميكي سيال موجود در مخزن و نيز بدليل وجود ريزكانال و ريزچمبرهاي تعبيه شده در داخل تراشه ميسر شده است. وجود اين ريزكانال باعث مي‌شود كه حجم مايع مورد استفاده در كشت تخمك‌ها در مقايسه با حالت كشت استاتيك به شدت كاهش يابد. در نتيجه غلظت هورمون‌هاي ترشح شده از سلول‌هاي پوششي تخمك‌ها افزايش يافته و اين امر باعث افزايش سرعت رشد و تكوين تخمك‌ها مي‌شود. علاوه بر اين مالش دائمي سلول‌ها توسط نيروي سيال در داخل ريزكانال نيز نقش مهمي در جلوگيري از ايجاد زخم بستر در تخمك‌ها و در نتيجه مرگ آن‌ها ايفا مي‌كند.

چمبر بافت مغز شرايطي شبيه آنچه در بدن وجود دارد را براي زنده ماندن بافت فراهم مي كند. چمبر بافت مغز دو نوع مي باشد: 1- نوع Submerged 2- نوع Interface. در نوع Interface كه هدف اختراع ما مي باشد، برش ها روي يك جسم پلاستيكي قرار داده شده كه در زير آن مايع مصنوعي مغزي نخاعي (aCSF) جريان داشته و در قسمت رويي آن گاز كربوژن مرطوب (مخلوط 95٪ O2 و 5% CO2) عبور مي كند و شرايط كافي را براي نگهداري سلول هاي زنده در برش هاي با ضخامت 50-200 ميكرومتر براي 7 الي 10 ساعت بعد از برش فراهم مي كند. محفظه چمبر شامل يك استوانه دو جداره از جنس پلكسي گلس خواهد بود كه با آب مقطر پر مي شود. اين محفظه داراي دو سوراخ در قسمت پايين كه به لوله هاي PVC متصل شده اند، بوده كه محل جريان مايع aCSF و گاز كربوژن به لايه فوقاني مي باشد. مايع aCSF از همان لوله منتقل خواهد شد به لايه ي فوقاني و از يك سوراخ عبور كرده و به زير بافت جريان پيدا مي كند. همچنين گاز كربوژن پس از عبور از آب مقطر و مرطوب شدن، از يك سوراخ بزرگ عبور كرده و به لايه ي فوقاني منتقل مي شود و سطح بالايي بافت را مرطوب نگه مي دارد. لايه ي فوقاني يك بخش شيشه مي باشد كه در بالاي چمبر قرار خواهد گرفت. داراي قسمت هاي مختلفي مي باشد كه محل قرار گيري نمونه است و در وسط اين شيار يك سوراخ قرار گرفته است كه مايع aCSF از آنجا خارج مي شود. همچنين در قسمت كناري لايه ي فوقاني، در زير اين شيار وسط، سه سوراخ از ناحيه كناري به سمت وسط ايجاد شده كه محل قرار گيري الكترود هاي مرجع و ارت و همچنين حسگر دما است. در انتهاي شيار وسط يك شيشه ي ديگر قرار خواهد گرفت كه محل تخليه aCSF است.